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国内首家 NAND Flash 大厂长江存储的新一代 64 层 3D NAND 芯片行将在 8 月投产,这个时刻点参加全球存储比赛堪称是“最紊乱的年代”,但也可视为是“最佳入局的时刻点”,由于 NAND Flash 价格从缓跌到重挫,逼得三星电子(Samsung Electronics)放出不再降价的信息,更让美光(Micron)祭出多年稀有的减产战略,未来长江存储的强烈追逐,将带给全球存储世界什么样的震慑?

长江存储在 2018 年成功研制 32 层 3D NAND 芯片后,进一步规划在 2019 年 8 月开端出产新一代的 64 层 3D NAND 芯片,等于宣告参加全球 NAND Flash 战局,比照本年三星、SK海力士(SK Hynix )进入 90 层 3D NAND 芯片出产,长江存储追逐世界大厂的脚步又大幅跨进一步。

32 层 3D NAND 芯片的研制成功关于长江存储而言,仅仅练兵含义,真正要上战场交兵的技能,肯定是 2019 年行将露脸的 64 层 3D NAND 芯片,现在的良率进展按期,估计 8 月可进入出产。

力求技能“无时差”,世界技能水平最近的一次

相较 NAND Flash 大厂本年进入 90 层 3D NAND 芯片技能,长江存储现在的技能约落后世界大厂 1.5 ~ 2 个代代,但 2020 年,长江存储方案弯道超车,追平世界大厂。

依据现在规划,2020 年三星、SK海力士等大厂将进入 128 层技能,长江存储也方案从 64 层技能,直接跳到 128 层 3D NAND 技能,力拼与世界大厂技能“无时差” 。

业界人士以为,从 64 层技能直接跳到 128 层的 3D NAND 技能难度非常高,但这的确会是国内半导体与世界水平距离最近的一次,是否能成功跨过重重难关,这一役非常要害。

值得注意的是,依据本来规划,长江存储量产后的 3D NAND 芯片是要给紫光存储来担任出售,但传出该战略有变,长江存储有意自产自销 3D NAND 芯片。

业界以为,只需长江存储的 64 层 3D NAND 芯片良率够好,不忧虑客户问题,尤其是国内系统层级的客户,关于选用国产芯片的情绪都是摩拳擦掌,何况,长江存储不单是在国内出售,未来的方针是要将芯片面向世界,这点也是该公司在树立技能系统之初,就非常介意专利和知识产权问题的原因。

不过,长江存储大举进入 NAND Flash 工业,这个“入局”的时刻点是很奇妙的,但或许“最紊乱的年代”,也会是“最好的时刻点”。

2019 年榜首季 NAND Flash 价格几近“崩盘”,合约价跌幅乃至高达 20% ,当时价格现已迫临上游大厂的现金本钱,这样的形势是多年稀有,一起也逼得三星对下流模组厂放出不再降价的信息,从而带动第二季度 NAND Flash 价格稍稍安稳。

更早之前,美光更是爽性宣告减产来力求“止血”。 2018 年开端, NAND Flash 价格首先松动,接着 DRAM 价格也挺不住,美光在 2019 年 3 月开榜首枪,宣告减产 5% ,包含 NAND Flash 和 DRAM 两项存储芯片,这是意识到贬价恶化的速度远超过商场预期。

再者,西部数据也调整四日市工厂产能,而且拖延 Fab 6 新厂的投产方案,估计晶圆出货将削减 10% ~ 15 %,也等于是变相减产,都是反映商场库存水位过高的压力。

胜败都是数据中心,工业进入收拾期

存储供货商以为, 2019 年半导体工业非常艰苦,存储芯片产能过剩,手机需求不济,更重要的是,上一波带动 NAND Flash 再创顶峰的使用是数据中心的服务器存储芯片,从 2018 年下半年起,也进入镇定期。

由于数据中心的数据量大幅提高,传统的存储技能呈现瓶颈,露出许多功能、处理时刻过长的问题,跟着 NAND Flash 本钱下降,与传统硬盘的本钱拉近,许多数据中心在处理不常用的冷数据 cold data 方面,会连续以 NAND Flash 组成的 SSD 来替代传统硬盘。

这样的趋势现已连续1~2年,但从2018年下半起,许多来自数据中心客户的需求大踩刹车,包含英特尔和Nvidia也都表明来自数据中心的需求将降温,企业和云端业者的收购形式都大幅走缓,短期的战略会以消化库存为主,这一枪成为NAND Flash价格崩跌要害杀手。

供货商则表明,估计下半年北美客户的数据中心需求会首先回暖,加上存储大厂不肯流血降价的情绪清晰,第二季度起, NAND Flash 价格开端止跌,至于何时大幅上升?还要看变化莫测的经济景气而定。

尽管存储大厂都信誓旦旦以为,下半年商场仍是有一波传统旺季,仅仅力道强弱还待调查,但还有一个隐忧,便是新技能的量产将导致供应端产能添加,其间包含三星、 SK 海力士的 96 层芯片,以及长江存储的 64 层芯片量产。

长江存储的 64 层 3D NAND 芯片下半年要进入量产,业界以为新技能在量产初期,总会有一些良率较低的产品在商场流窜,这部分的货源可能会搅扰一些中、低价格的 3D NAND 芯片商场,但这是每一个新技能量产之初的必经之痛。

别的,下半年也是世界存储大厂 90 层 3D NAND 芯片的放量期,供应添加的时刻点遇上传统旺季,检测旺季力道的强弱。三星 2019 年的产能是以 3D NAND 为主, 2D NAND 产能则将依需求下修而减缩。一起,堆叠数高达 90 层的第 5 代 V-NAND 技能已将近老练,估计会逐步导入量产。

另一家韩系大厂 SK 海力士也将进入 96 层新架构的 3D NAND 芯片,本年将处于现在干流 72 层 3D NAND 和新一代 96 层芯片的技能转换期。再者,美光也进入 96 层 3D NAND 为芯片量产期。

依据市调组织TrendForce计算,2018年第四季全球NAND Flash前五强与商场份额分别为三星电子30.4%、东芝19.3%、美光15.4%、西数数据15.3%、SK海力士11.2%。

2018年全球NAND Flash全年营收约632亿美元水准,较2017年生长10.9%,2018年受惠2D NAND技能转 3D NAND技能顺利,全年位元出货量较2017年生长逾40%。

以工业长期趋势来看,技能的演进肯定具有正面挹注,由于唯有工艺技能不断地往前推动,下降每单位的出产本钱,才会影响更多终端使用出来,未来还有5G代代的降临,新一波数据中心需求起飞,NAND Flash使用远景适当广泛。

仅仅,全球NAND Flash工业多年来已习气世界六强树立,分别为三星、东芝、美光、西部数据、SK海力士、英特尔,身为国内榜首家量产的存储大厂长江存储在练兵多年后,行将鄙人半年以新技能64层3D NAND杀入商场,初期将在中、低阶市掀起波涛,再渐渐挥军世界,这会是榜首次有我国存储芯片能够在世界露脸,后续引发的震慑效应不容小觑。

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